功率器件模块：一种满足EMI规范的捷径

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由于功率模块的设计和几何形状可以实现EMI建模，从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的EMI反应。 本文作者： Wolfspeed模块应用工程师Brian DeBoi 相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰（EMI）的影响，使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行，就必须最大限度地减少辐射。通常，由于硅（Si）IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关，因此通常会产生传导型EMI。在开关状态转换过程中，器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态。开、关状态间变化会产生dv/dt和di/dt，从而在开关频率的谐波频率上产生EMI。 图1：方形、梯形和三角形信号的理论频谱 开关频率和边延速率（即器件的状态改变速度）决定了在开关期间产生的EMI。通常情况下，最高辐 ………………………………