英特尔18A vs 台积电N2：解读最新光刻工艺DSA

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AI的发展取决于算力，算力的提升取决于芯片制程，而芯片制程的提升受制于光刻机的分辨率。 在光刻工艺方面，最近发生了一件大事。 近期Intel高调宣布采用ASML的High-NA EUV + DSA方案，作为其14A节点的光刻工艺，引发业界哗然。 SemiAnalysis也撰文对此进行详细解读，DSA可能成为英特尔在新一代制程上反击台积电的重要武器。 同时，DSA的背后也隐藏着诸多投资机会，如EMD、TEL、LamResearch等。 今天我给大家带来的是这篇文章的解读，其标题为《Intel’s 14A Magic Bullet: Directed Self-Assembly (DSA)》。 感兴趣的朋友欢迎去读原文，文章链接放在文末。 在正式展开之前，我先把主要结论列出来： EUV光刻机的物镜数值孔径（NA）越大，性能越强，可惜光刻成本过高。 DSA利用一种叫做BCP的化学品，利用其“自组装”的化学性质可有效降低High-NA EUV的光刻成本。 将High-NA ………………………………