武汉大学团队新研究：红光Mini LED效率提升30%

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近日，武汉大学周圣军团队研发了一种新型肖特基接触本征电流阻挡层（Schottky-contact intrinsic current blocking layer  (SCBL)），可增强有源区电流扩散，并提高AlGaInP红光Mini LED光提取效率 (LEE)。 上图为 (a) 器件结构，以及 (b) 基于 AlGaInP 带有SCBL的红光垂直结构Mini LED 的制造工艺流程。(c) SCBL 和 (d) 基于 AlGaInP 的红光垂直结构Mini LED顶视图光学显微镜图像。 研究负责人周圣军表示，团队利用氧化铟锡 (ITO) 和 p-GaP之间的肖特基接触特性，以及ITO和p-GaP+之间的欧姆接触特性构建了SCBL，并通过转移长度法（transfer length method）进行了演示。 周圣军表示，SCBL可有效缓解p电极周围的电流拥挤并促进均匀的电流扩散，从而提高AlGaInP红光Mini LED的光提取效率。由于电流扩散和光提取的增强，带有SCBL的Mini LED显示出更均匀的发光强度分布、更高的光输出功率和更高的外部 ………………………………