铁电器件，大有可为

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容编译自semiengineering，谢谢。 在与集成电路制造兼容的材料中发现铁电性引发了人们对铁电器件的兴趣。 铁电体是具有永久极化的材料，其方向可以通过施加场来切换。这种极化可用于提高或降低晶体管的阈值电压，如 FeFET，或可改变结的隧穿电阻，如铁电隧道结 (FTJ)。更传统的 DRAM 设计还可以利用铁电性来改变存储电容器的介电常数。铁电性材料科学（特性如何取决于成分、晶体结构和加工）在所有这些应用中都起着关键作用。为了使铁电设备具有商业可行性，业界需要更好地了解这些关系。 1.铁电体和 DRAM DRAM 与 CMOS 器件一样，面临着减小电介质厚度和最小化漏电流之间的矛盾。增加存储电容器的介电常数有助于实现这种平衡。 铁电铪锆氧化物 (HZO) 具有高介电常数和可接受的低漏电 ………………………………