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无晶界,厘米级单晶MoS 2 ! 大规模生产高质量二维过渡金属二硫化物 (TMDC) 是工业制造的主要挑战。尽管化学气相沉积(CVD)已实现晶圆级MoS₂单晶的生长,但多种子生长方法因拼接缺陷引发的晶界问题受到限制。单核合成提供了另一种可能,但由于CVD中高成核密度和慢生长速率,TMDC域通常仅达到毫米级。液体前驱体结晶方法,如直拉法,在半导体制造中表现出潜力。然而,由于润湿面积小和高成核密度,L-S反应目前仅能生成亚毫米级TMDC域。因此,开发可润湿基底并降低成核密度是实现大规模2D TMDC生长的关键一步,类似于直拉法的工艺。 在这里, 北京科技大学 张跃院士 联合 张铮教授 在二维空间中 开发了一种液-固结晶技术,成功快速生长出无晶界、厘米级的单晶MoS₂。这种大尺寸单晶具有卓越的均匀性、高质量和极低的缺陷密度 。 对基于M
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