2024,Nature Communications——16 µVdec亚阈值摆幅与低电压操作：冲击电离效应的突破

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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41467-024-53337-8 对文章的一点思考：文章中器件的创新针对N型晶体管，类似配置高对于P型晶体管的SS的影响是什么，同样的机理去实现P型晶体管SS在低电压下的提升的器件结构和挑战又有哪些呢？是不是作者也在这个方向继续耕耘。二维和硅基的集成始终存在大规模制备实现方法的问题，在这个器件结构下有大规模实现的途径么？可替代的材料和方案是否有？ 亮点： 1. 低电压冲击电离效应 ：通过采用石墨烯/硅异质结漏极和硅沟道结构，成功实现了低电压下的雪崩冲击电离效应，突破了传统高电压需求。 2. 超低亚阈值摆幅 ：在6个数量级的漏电流范围内，器件的平均亚阈值摆幅仅为16 µV/dec，表现出极低的能耗与出色的开关特性。 3. 低电压操作与高电压增益 ：器件的工作电压低至0.4 V，同时实现了高达311的电压 ………………………………