美光量产第九代TLC NAND闪存技术：写入速度比竞品快99%！

主要观点总结

美光科技采用第九代TLC NAND技术的SSD开始出货，成为首家实现此技术突破的企业。其G9 NAND芯片具有出色的数据传输速率和性能，能满足各种使用场景的需求，包括个人装置、边缘服务器、企业及云端数据中心。与竞品相比，美光G9 NAND具有更高的密度和更小的体积，表现优异。

关键观点总结

关键观点1: 美光科技采用第九代TLC NAND技术的SSD开始出货。

美光科技成为首家实现这一技术突破的企业，展示了其在存储芯片领域的领先地位。

关键观点2: 美光G9 NAND芯片具有出色的性能。

美光G9 NAND芯片无论是数据读取还是写入都提供了无与伦比的性能，满足了人工智慧和大量数据处理的需求。

关键观点3: 美光G9 NAND芯片具有更高的密度和更小的体积。

相较于竞品，美光G9 NAND的密度提高73%，体积缩小28%，为自由设计各种使用场景提供了可能。

关键观点4: 美光G9 NAND内置于美光2650 SSD表现出众。

在PCMark® 10测试中，美光2650 SSD采用顶级G9 TLC NAND，表现出同级最佳性能，为消费者和企业创造价值。

关键观点5: 美光G9 NAND的技术优势。

美光G9 NAND具有数据传输速率快、每芯粒写入带宽扩大、体积小等优势，有助于提升SSD和嵌入式NAND解决方案的性能及功耗表现。

文章预览

2024年7月31日，存储芯片大厂美光科技宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD现已开始出货，成为首家达成这项里程碑的企业。 据介绍，美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s为业界之冠，为数据读取及写入提供无可比拟的频宽。不论是在个人装置、边缘服务器，或是企业及云端数据中心，这颗NAND新品均可展现同级最佳性能，满足人工智慧及其他运用大量数据的使用情境。 美光G9 NAND善用业界最高NAND I/O速率，符合工作负载处理大量数据的高吞吐量需求，和市面上现已出货的其他NAND SSD产品相比，数据传输速率加快50%；与现有NAND竞品方案相较，美光G9 NAND的每芯粒写入带宽扩大达99%、读取带宽扩大达88%，从每颗芯粒就占尽优势，自然有助于SSD和嵌入式NAND解决方案的性能及功耗表现。 美光G9 NAND还延续了前代产品特色，采用11.5mm x 13.5mm封装，体积较竞品缩小28%， ………………………………