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由于采样电阻在高侧，这种方式的电流与低侧是有很大差异的，不能采用低侧方式。 图1 传统低侧电流采样方式 因此需要为运放重新构建供电电压（VCC，其参考地为VOUT），通过运放+三极管方式来实现。 方式一： 图2 运放+NPN方式 分析过程： ①上图虚框位置是由两个同型号三极管构成电流镜电路，因此可以得出I2=I3； ②由三极管Q10可得到I1=I3+Ib≈I3（由于三极管放大倍数β>>1），即I1=I2； ③由运放的虚断可得：V-=V2*R2/(R3+R2)； ④由运放的虚短可得：V-=V+； ⑤由基尔霍夫电流定律可得：（Vref - V+）/R9 = (V+ - Vin)/R1； ==> V+ = (Vref + Vin*R9/R1) / (1+R9/R1) ⑥假设R1=R2, R3=R9; ⑦由上可得出VADC=(R9*Vin/R1+Vref)*R7/R4 ⑧Vin= I *Rsense 带入上式，可得出 VADC=(R9*I *Rsense/R1+Vref)*R7/R4 ⑨引入Vref是为了消除运放静态偏差而增加的电压基准。 方式二： 图3 运放+PNP 分析过程： ①由于运
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