广州大学&东北师范大学AS：阴离子空位激活具有平面异质结构的VSSe/V2CTx构建耐用且宽温度的锌离子电池

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第一作者： Zhong-Hui Sun 通讯作者：  Yu Bao、Li Niu、Xing-Long Wu 文献链接： https://doi.org/10.1002/advs.202502745 研究简介 锌离子电池（ZIBs）是一种很有前途的储能装置，在成本效益、高安全性和环境可持续性方面具有显著的优点。过渡金属硫族化合物由于其高理论容量和大的层间距而成为ZIBs的新兴正极材料。然而，它们的应用面临着反应动力学缓慢和体积变化巨大的关键挑战。本文提出了一种阴离子缺陷工程策略，通过稳健的界面C─Se─V键一步原位锚定钒硫硒化物在V2CTx模板（VSSe/V2CTx）平面异质结构上，具有内置阴离子空位，以克服这些挑战。Se原子的引入不仅改变了金属V原子的电子结构，提高了VSSe/V2CTx的本征电导率，而且还创造了更多的活性位点，加速了反应动力学，理论计算和实验结果证实了这一点。因此，VSSe/V2CTx正极在准固态ZIB（QSSZIB）中，在 ………………………………