英特尔18A工艺就绪！据称领先台积电2纳米一年！

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英特尔近日宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。该制程将导入多项先进半导体技术，有望领先 台积电 即将推出的2nm N2制程，后者预计将于2026年上市。 市场有人声称，英特尔的18A制程将会是世上首个小于2纳米的制程，这也让台积电制程技术落后英特尔一年。 18A制程相较于intel 3制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将于年底前上市。 18A制程的一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术通过将粗间距金属层与凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供电效率。英特尔表示，这项技术可提升ISO功耗效能4%，并增加标准单元利用率5%至10%。 另一项关键技术是 RibbonFE ………………………………