天风·机械 | HBM：堆叠互联，方兴未艾

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HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单位面积内的存储密度和带宽，每一层通过硅通孔和微凸点互连技术与其他层连接，互联技术尤为重要。建议关注：拓荆科技、芯源微、华海清科、精智达、长川科技、赛腾股份、芯碁微装（与电子组联合覆盖）。 堆叠互联为HBM核心工艺 HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单位面积内的存储密度和带宽，每一层通过硅通孔和微凸点互连技术与其他层连接，互联技术尤为重要。 1）通孔：TSV系垂直堆叠核心工艺 深孔刻蚀设备：深孔刻蚀是TSV的关键工艺，目前首选技术是基于Bosch工艺的干法刻蚀； 铜填充设备：解决高深宽比微孔内的金属化问题，提高互联孔的可靠性，系 ………………………………