10月14日 | Springer Materials 系列在线讲座: 新型非易失性存储器技术的展望

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随着AI、5G、IoT及工业4.0等技术的飞速发展，信息数据量正经历前所未有的爆炸式增长，这一趋势催生了全新的计算需求，进而驱动存储器技术向更高容量、更高读写耐久性、更快读写速度及更低功耗的方向迈进。替代闪存，开发新一代的存储技术成为了迫在眉睫的事情。最近几年，各种新型存储器件不断地从实验室走向商业应用。 本期SpringerMaterials系列在线讲座以 “新型非易失性存储器技术的展望” 为主题，特别邀请到了 南京大学电子科学与工程学院教授、博导何亮博士 。何亮博士将于10月14日重点介绍 磁随机存储器（MRAM） 在前沿科学领域，以及商业制造领域的最新进展，同时还会分析其它几种 阻变存储器（RRAM），相变存储器（PCRAM），铁电存储器（FeRAM），以及赛道存储器（Racetrack Memory） ，包括基本器件原理，及商业应用前景等。在本次 ………………………………