武汉大学林乾乾团队: 极低暗电流+高稳定性水下光通信器件新颖策略

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研究背景 基于锑基硫属化合物 Sb 2 S 3 和 Sb 2 Se 3 因其优异的光电性能、良好的环境稳定性、简单的组分和低成本的制备方法在光伏和光电探测领域受到了广泛的关注。 然而，大多数基于 Sb 2 S 3 和 Sb 2 Se 3 的高效器件是基于有机材料作为空穴传输层和贵金属作为电极来制造的，这影响了器件的稳定性，增加了操作复杂性和器件的制造成本。 文章简介 近日，武汉大学 林乾乾教授 带领研究团队提出了一种新颖的策略，利用 Se/Sb 双层来简化器件结构。该器件结构包括由 Se 层和 Sb 层原位热退火产生的 Sb 2 Se 3  薄层作为空穴传输层，金属 Sb 作为器件电极。 该团队通过优化输运层厚度和退火条件，可以有效地降低光电探测器中的暗电流密度，使器件漏电流最小化。 同时，该团队评估了不同器件结构下 Sb 2 S 3  的器件性能和缺陷特征，基于 Se/Sb 结构的 ………………………………