天津大学：双缺陷C3N4纳米片的制备及其光催化产H2O2性能研究

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▲第一作者：巴贵明 共同通讯作者：刘恩佐教授、叶金花教授、王德法教授 通讯单位：天津大学 论文DOI：10.1016/j.apcatb.2024.124645 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     全文速览 热氧化块状氮化碳（C 3 N 4 ，CN），可暴露出更多的活性位点，是提高CN光催化活性的重要方法之一。然而，热氧化法的产率较低。因此，本研究通过自下而上的两步热聚合法制备了具有氮空位和氰基的双缺陷CN（DDCN）超薄纳米片，产率高达65 %。DDCN具有活性位点多、电荷迁移距离短、可见光吸收范围广、电荷分离与转移速率快、氧气吸附能力强和2e ‒ 氧化还原反应（2e ‒ ORR）选择性高等特点，在可见光照射（λ ≥ 420 nm）下，其H 2 O 2 产率高达∼1031 μmol g ‒ 1 h ‒1 ，较块状CN提高了19.5倍。此研究为开发高效的超薄CN基光催化剂提供了一种简易的双缺陷工程方法。     ………………………………