研究进展：电介质击穿 | Nature Reviews Materials

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电介质击穿Dielectric breakdown是因为电应力引起的绝缘体电导率的突然和灾难性的增加。这是绝缘膜电子器件的栅极绝缘体，以及能量和存储电容器中的主要可靠性问题之一。尽管进行了广泛的研究，但对驱动击穿过程物理机制的理解，仍然不完整，并且描述电介质击穿的原子模型，也存在争议。 近日，意大利 摩德纳-雷焦·艾米利亚大学（Università degli studi di Modena e Reggio Emilia）Andrea Padovani等，英国 伦敦大学学院（University College London）Alexander L. Shluger等，在Nature Reviews Materials上发表综述文章，概述了不同绝缘材料介质击穿的实验和理论研究中，积累的大量数据和知识，重点描述了唯象模型和新的计算方法。 Dielectric breakdown of oxide films in electronic devices.  电子器件中，氧化膜的电介质击穿。 图1: 电介质击穿过程的基本原理。 图2: 电介质击穿过程的电学 ………………………………