突破极限！1mm³ 存储 TB级!

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本月早些时候，芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员展示了一种技术，该技术能够利用原子大小的晶体缺陷来表示1和0，从而在“仅1mm³大小的小立方体材料内实现极高的密度，存储太字节级别的存储比特(TB)”。 研究中使用的晶体之一，在紫外光下充电。 芝加哥大学普利兹克分子工程学院助理教授及实验室负责人 Tian Zhong ，解释说：“在那个毫米立方体中，我们已在其中制造了带电原子缺陷间隙‘1’和未带电间隙‘0’，我们证明了至少有大约 10 亿个基于原子的存储器——经典存储器、传统存储器。” 博士后研究员、原文第一作者莱昂纳多·弗兰卡（Leonardo França）在解释这一切如何运作的更细节时表示：“我们找到了一种方法，可以将应用于辐射剂量学的固体物理学与一个在量子方面工作很强的研究小组结合起来，尽管我们的工作并不 ………………………………