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【国金电子】存储行业深度报告三:AI时代核心存力HBM

国金电子研究  · 公众号  ·  · 2024-05-28 19:43
    

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摘要 ■  投资要点 行业观点: HBM是AI时代的必需品: HBM解决了传统GDDR遇到的“内存墙”问题,采用了存算一体的近存计算架构,通过中间介质层紧凑快速地连接信号处理器芯片,极大节省了数据传输的时间与耗能,HBM采用堆栈技术较传统GDDR节省较大空间占用。在应对未来云端AI的多用户,高吞吐,低延迟,高密度部署需求,计算单位剧增使I/O瓶颈愈加严重,使用GDDR解决代价成本越来越高,HBM使得带宽不再受制于芯片引脚的互连数量,在一定程度上解决了I/O瓶颈。综合来看,高带宽、低功耗、高效传输等性能使其成为高算力芯片的首选。 HBM核心技术在于硅通孔技术(TSV)和堆叠键合技术,对封装技术和散热材料提高需求。 HBM通过SIP和TSV技术将数个DRAM裸片垂直堆叠,在DRAM晶片上打数千个细微的孔,通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术,可显 ………………………………

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