北京大学/深圳理工合作，Nature Materials!

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第一作者：Yani Wang, Chao Zhao, Xin Gao, Liming Zheng 通讯作者：Feng Ding， Hailin Peng 通讯单位：深圳理工大学，北京大学 DOI： https://doi.org/10.1038/s41563-024-01968-z     背景介绍 高质量介电材料与通道材料的集成一直是硅电子学发展的核心任务。当器件尺寸缩小到2D电子学的原子级别时，这一任务变得更加具有挑战性，因为在这种情况下，电荷载流子更容易受到通道-介电界面处由缺陷、杂质和悬空键引起的电荷散射的影响。六方氮化硼（hBN）因其原子级平整度和无悬空键的特性，已被广泛用作优秀的界面层和保护层，用于高κ介电集成，以减少集成过程中引起的结构损伤及相关的电荷散射，为研究二维材料的新兴物理现象和制造高性能二维电子器件提供了有希望的平台。为了实现这一点，对hBN的要求非常严格。hBN薄膜应该具有大面积、超平整、单晶特性，并且 ………………………………