《Nature》子刊：集成电路电子封装纳米晶铜铜与铜直接键合技术新突破

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导读：铜 - 铜（ Cu-Cu ）直接键合是一种前景广阔的先进电子封装技术。纳米结晶（ NC ）铜因其独特的促进键合层表面生长的能力而受到越来越多的关注。由于其具有促进键合界面颗粒生长的独特能力，因此受到越来越多的关注。然而，实现充分的晶粒生长仍然需要很高的热预算。本研究探讨了减小晶粒尺寸和控制杂质浓度如何在 NC 杂质浓度是如何在低温下实现大量晶粒生长的。制造出的 NC 铜具有均匀的纳米晶粒大小，约为 50 纳米，杂质含量低至 300ppm 。为防止未生长的 NC 和杂质聚集造成的空洞 的形成，我们提出了一种双层 (DL) 结构，包括在 NC 层。 CG 层的晶粒大小为 1 μ m ，杂质含量为 3ppm 、 CG 层的晶粒大小为 1 μ m ，杂质含量为 3ppm 。由于整个 NC 层都有足够的晶粒生长，跨界面的铜 - 铜键合在一起。由于整个 NC 层都有足够的晶 ………………………………