GESD05F6BES极低容带深回扫静电防护器件

文章预览

GESD05F6BES 0.12pF / Vc5.52V 静电防护器件 容值与钳位电压 容值 C 与钳位电压 Vc 这两个参数是静电防护器件从业者经久不衰的讨论话题之二，二者均在追求“低”的路上不停奔赴。 容值 C ，从普容到低容、低容到超低容、超低容到极低容，目的旨在于通过降低容值减少对受保护信号链路的影响。 钳位电压 Vc ，从传统的二极管反向特性到浅回扫特性、浅回扫特性到深回扫特性，目的旨在于通过更先进的芯片制作工艺获取更低的钳位电压以便于更有效地保护受保护电路。 GESD05F6BES 极低容带深回扫静电防护器件 近日， 高特推出极低容带深回扫静电防护器件 GESD05F6BES ，极低容值（ 0.12pF @0V, 1MHz ）；超低钳位电压（ 5.52V @Ipp=6A ）。 GESD05F6BES 采用了先进的芯片和封装制造工艺，将其容值压制到了极低的水平 0.12pF ，最大工作电压 5 V ，关断状态下漏电电流小于 1 ………………………………