派恩杰·中国电源学会年会“工业报告” | 《基于环流系统的碳化硅功率器件可靠性研究》

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11月8日-11日， 在 西安·曲江国际会议中心 举办的 2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会（CPEEC & CPSSC 2024）今天已圆满落幕。 本次 派恩杰作为中国电源学会白金合作伙伴受邀参展 ，到派恩杰3-015展位驻足停留咨询的客户和伙伴络绎不绝，同时在西安·曲江国际会议中心，派恩杰的雷洋博士在“工业报告”环节做出了 《基于环流系统的碳化硅功率器件可靠性研究》 的报告分享。 报告人-雷 洋 博士， 应用主任工程师 会上，雷洋博士就“ ①SiC M OSFET参数漂移问题、②SiC MOSFET参数漂移研究的环流系统、③实验结论 ”三大模块论点进行了实验性报告分享，并与会上广大业内同仁共同进行了热烈的交流与实验探讨。 SiC MOSFET参数漂移问题    据雷洋博士介绍，碳化硅（SiC）MOSFET由于其优越的效率、高温耐受性以及相 ………………………………