北大-张志勇团队及合作者︱用于超低功率晶体管的钙钛矿碳纳米管内掺杂

主要观点总结

本文介绍了北京大学电子学院碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部实验室等团队的合作成果。该团队成功利用碳纳米管气相/液相自组装填充技术，在碳纳米管内填充一维钙钛矿材料，并调控电学特性，构建了内掺杂碳纳米管CMOS晶体管。相关成果发表在《Advanced Materials》上，展示了碳纳米管材料在高性能和超低功耗集成电路领域的巨大优势。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

硅基CMOS技术进入5纳米技术节点，寻求新材料、新原理半导体集成电路技术成为关注焦点。碳纳米管是构建新型CMOS晶体管和集成电路的理想材料之一，但电学调控自由度受限。

关键观点2: 文章简介

北京大学电子学院碳基电子学研究中心等团队合作，成功构建内掺杂碳纳米管CMOS晶体管，相关成果发表在《Advanced Materials》上。

关键观点3: 研究内容

基于半填充钙钛矿-碳纳米管同轴异质结，设计并展示了断隙隧穿晶体管（TFET）。展示了一维钙钛矿掺杂碳纳米管材料在构建高性能和超低功耗集成电路领域的应用前景。

关键观点4: 结论与展望

成果展示了碳纳米管材料在超低功耗领域的巨大优势，有望应用在高性能和超低功耗集成电路制备上。

文章预览

本文来源于北京大学新闻网 ！  一、研究背景：   硅基互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术已于2022年进入5纳米技术节点，晶体管特征尺寸接近物理极限，寻求新材料、新原理半导体集成电路技术成为学术界和产业界的关注焦点。碳纳米管（CNT）具有优异的电学性能、准一维晶格结构、高载流子迁移率等特点，是构建新型CMOS晶体管和集成电路的理想半导体沟道材料之一。与传统硅基半导体材料不同，碳纳米管由C-C sp 2 共价键组成，化学稳定性强，难以实现可控稳定掺杂，极大限制碳基器件电学调控自由度。  二、文章简介： 近期，北京大学电子学院碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部实验室 张志勇教授 、浙江大学 金传洪教授 、南京大学 朱马光研究员 （此前为北京大学电子学院博士后）课题组合作，利用碳纳米管气相/液相自组 ………………………………