影响先进IC设计可靠性的热相关问题

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（本文编译自Semiconductor Engineering） 在先进节点的芯片和封装中，热量正成为一个大问题，它可能会导致DRAM中关键电子的泄漏，3D-IC中出现时序和可靠性问题，以及不同工作负载下特有的加速老化问题。 所有类型的电路都容易受到热效应的影响。热效应会减慢电子在导线中的移动速度，引起电迁移，从而缩短器件的使用寿命，还会影响晶体管的开关周期。在3D-IC和其它高密度封装器件中，热效应甚至会扰乱计算。 西门子EDA Calibre nmDRC应用产品管理总监John Ferguson指出：“这些影响都会对在chiplet和封装中正确传输预期信号的能力产生影响，通常会导致信号传输速度低于系统设计速度。最终，这会导致传输非预期信息。” 在DRAM中，热量会限制电容器保持电子的能力，而电子对于确定是“1”还是“0”至关重要。 “某些单元有电子表示为1，而某些单元有 ………………………………