SK海力士的信心：“我们的HBM比竞争对手更强”

文章预览

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： i c ba nk）编译自businesskorea，谢谢。 SK hynix 表示对其高带宽内存（HBM）制造技术充满信心。该公司强调，其专有的HBM比竞争对手的产品要强大得多，这将使其在下一代半导体封装领域保持领先地位。 据6月9日的行业消息来源报道，SK hynix在5月28日于美国丹佛举行的 “ECTC 2024 ”研讨会上介绍了这一信息。 SK hynix声称，该公司采用独特的大规模回流-模塑底部填充（MR-MUF）技术制造的HBM比采用热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的产品坚固60%。 SK hynix用锋利的工具刺穿安装了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的方法进行了测试，结果发现其芯片的划痕少于使用 TC-NCF 生产的芯片。这一结果表明，在涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中，HBM 可以承受外部物理冲击而不影响良 ………………………………