Nature Electronics——史诗级突破！钇掺杂引领2D晶体管革命，打造完美欧姆接触，开启芯片制造新纪元！

文章预览

文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01176-2             北京大学电子学院 彭练矛院士-邱晨光研究员团队 近期在二维半导体集成工艺领域取得重要进展， 提出了“稀土钇元素诱导相变理论”。他们发明了“原子级精准选区掺杂技术”，突破了传统离子注入掺杂深度无法小于5纳米的工程限制，首次将源漏选区的掺杂深度推进到单原子层的0.5纳米极限。 在此基础上，他们基于二维半导体晶圆制备出规模化的超短沟道弹道晶体管，实现了理想的欧姆接触和开关特性，为构建未来更高性能、更低功耗的亚1纳米技术节点芯片提供了潜力。 姜建峰博士与徐琳博士为共同第一作者 ，邱晨光研究员和彭练矛院士为共同通讯作者，北京大学电子学院为通讯单位。论文合作者包括中科院物理所的张广宇研究员与杜罗军研究员。相关研究成果题为“Yttrium-dop ………………………………