英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著！《碳化硅器件工艺核心技术》

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◆图书简介◆ 《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。 扫描上方二维码，65折读书 ◆ 目录：◆ 译者序 原书前言 作者简介 第1章 碳化硅表面清洗和腐蚀 1.1引言 1.2SiC的湿法化学清洗 1.2.1表面污染 1.2.2RCA、Piranha和HF清洗 1.3SiC的化学、电化学和热腐蚀 1.3.1化学腐蚀 1.3.2电化学腐蚀 1.3.3热腐蚀 1.4 ………………………………