科学家将二氧化硅缺陷“变废为宝”，打造新型非易失性存储器，数据存储时间长达10年以上

主要观点总结

张永晖博士和其团队提出了通过利用二氧化硅中的边界陷阱来捕获和释放β-氧化镓中的光生空穴，从而显著提高数据存储时间的方法。这种新方法实现了非易失性光电存储，是半导体领域的一个重大突破。该方法在审稿人中获得高度评价，并被认为在非易失性光电存储器领域具有重要影响。其应用前景包括数据存储、导弹监测、非视距通信和臭氧空洞监测等。

关键观点总结

关键观点1: 利用二氧化硅中的边界陷阱实现非易失性光电存储。

张永晖博士团队通过捕获光生空穴在二氧化硅的边界陷阱中，实现了数据的长时间存储。这种方法的实现基于边界陷阱对空穴的捕获和释放机制。

关键观点2: 器件在大数据存储、导弹监测、非视距通信和臭氧空洞监测等领域的应用前景。

该研究成果将在深紫外非易失性光电存储器领域发挥重要作用，特别是在大数据存储、导弹监测、非视距隐蔽通信和极端环境下的臭氧空洞监测等方面具有潜在应用价值。

关键观点3: 器件的工作原理和性能特点。

器件的工作原理基于边界陷阱对空穴的捕获和释放。研究结果显示，器件具有良好的电学性能，如开关比大、亚阈值摆幅小和场效应迁移率高。此外，器件还表现出稳定的存储性能和可靠的性能参数。

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