2nm，震撼决战！

主要观点总结

文章介绍了关于半导体专业会议的信息，包括新技术、竞争态势和行业挑战等。文章详细描述了不同代工厂的工艺路线图，包括新技术如GAA和BSPDN的应用，以及不同代工厂的策略和进展。此外，文章还讨论了SRAM扩展的停滞和新技术带来的潜在机会。

关键观点总结

关键观点1: 新技术机会：GAA和BSPDN为代工厂竞争带来新机会，可能吸引新进入者。

GAA和BSPDN技术的出现，为半导体行业带来了新的工艺机会。这些技术有望提高芯片的性能和密度，并可能吸引新的代工厂进入市场。然而，不同代工厂对于这些技术的实施策略有所不同，影响了它们的进展速度和性能表现。

关键观点2: 行业挑战：建造尖端晶圆厂资本支出猛增，可能迫使竞争对手退出竞争。

建造尖端晶圆厂的资本支出正在猛增，这可能会迫使一些竞争对手退出竞争。此外，互连微缩策略昂贵且限制不断缩小，需要创新解决。所有值得关注的前沿逻辑设计都依赖于先进的工艺技术，如台积电的全栅极（GAA）和背面供电（BSPDN）技术。

关键观点3: 代工厂竞争态势：Rapidus等新兴公司与三星、英特尔和台积电等巨头竞争，但面临诸多挑战。

新兴的半导体代工厂如Rapidus公司正试图在半导体制造领域与三星、英特尔和台积电等巨头竞争。然而，他们面临着技术、市场、客户等多方面的挑战。例如，Rapidus公司的商业主张受到质疑，其商业地位和市场定位尚不明确。此外，他们的路线图不包括背面供电，这在高性能计算应用中是一个劣势。

关键观点4: SRAM扩展停滞：SRAM微缩停滞不前，成为芯片功能逐代改进的关键挑战。

自5nm节点以来，SRAM位单元微缩一直停滞不前。尽管有其他微缩策略，但在SRAM单元中实施背面电源几乎没有好处。新技术的出现如GAA可能带来一次性的缩小优势，但在后续节点中可能不会有太大优势。

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点击参与： 一揽子半导体专业会议，苏州举办！MEMS\柔性\压印\显示器件\分析测试\三代半\光电…不容错过，附参展企业名录 台积电赢得了 FinFET。 台积电遥遥领先 ： 台积电在FinFET技术上占据优势。 竞争对手三星和英特尔在先进工艺上表现不佳。 行业转折点 ： FinFET技术无法进一步扩展，SRAM微缩停滞。 前沿逻辑需采用GAA和BSPDN新技术。 新技术机会 ： 英特尔在10nm节点上失败，失去领先优势。 GAA和BSPDN为代工厂竞争带来新机会，可能吸引新进入者。 BSPDN技术 ： 将电源布线移至晶圆背面，改善电力传输。 缩短为晶体管供电的互连长度，减少功率损耗。 降低功耗约15-20%。 行业挑战 ： 建造尖端晶圆厂资本支出猛增，可能迫使三星或英特尔退出竞争。 互连微缩策略昂贵，限制不断缩小，需创新解决。 所有值得关注的前沿逻辑设计，甚至英特尔的，都 ………………………………