ACS nano ：外部p型掺杂的MoS2中双极性传导模式的竞争：与栅介质的相互作用至关重要

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摘要： 随着维度的降低和比表面积与体积比的增加，二维（2D）半导体展现出引人注目的电子特性，这些特性对周围环境异常敏感，包括直接与栅介质界面。这些影响与它们的固有行为密切相关，使得在有意引入外来电荷载流子到通道以实现互补功能时，检查这些影响变得至关重要。本研究探讨了 外来p型掺杂的MoS2中本征和外来电荷载流子传导之间竞争转变的物理起源，强调了通道与非晶栅介质相互作用的中心作用。 通过 为通道提供纯净的界面 ，并使用不同厚度的六方氮化硼（h-BN）间隔层来控制这种相互作用的程度，确定了三种独特的相互作用模式：非接触、近邻和直接接触。在没有h-BN间隔层的直接接触模式下，电荷转移和轨道混合在几层p型掺杂的MoS2中诱导出双极性传导，显示出意外的栅极依赖性交叉，存在于共存的外来和本征传导之间。开 ………………………………