氮化镓，取得了新的突破

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：i cbank）编译自mynavi，谢谢。 7月4日，名古屋大学证实，通过GaN和金属镁（Mg）之间的简单热反应形成了独特的超晶格结构，可以提高P型GaN基器件的性能。 该成果是YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所Hiroshi Amano教授领导的研究小组的成果。详细内容发表在英国科学杂志《自然》上。 由于P型GaN是通过置换Mg原子进行掺杂（P型掺杂）而实现的，因此GaN已被用于LED照明和半导体激光器，近年来，利用其特性的功率半导体也得到了使用。作为实现节能社会和碳中和目标关键的半导体材料而受到关注。 然而，在实现 35 年多后，人们对 GaN 中的 P 型掺杂仍然知之甚少，而 Mg 仍然是唯一已知的掺杂杂质元素。特别是Mg原子在GaN中的扩散行为和掺 ………………………………