IF=33.7！哈工大（深圳）/复旦，Nature Electronics！

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【高端测试 找华算】 专注测试分析服务、自有球差电镜机时、全球同步辐射资源，20000+单位服务案例！ 经费预存选华算，高至16%预存增值！ 研究背景 随着二维（2D）半导体在场效应晶体管（FET）中的应用逐渐增多，超薄栅绝缘层因其能够提供高界面质量和介电可靠性而成为研究热点。然而，现有的二维绝缘材料在带隙、击穿强度、介电常数、漏电流和偏置温度稳定性等方面未能达到理想的折中，限制了其在微型电路中的应用。传统的高介电常数氧化物薄膜，如氧化铪（HfO 2 ）和氧化钛（TiO 2 ），在缩小至纳米级时往往结晶为含有丰富缺陷的非晶相，导致电气性能下降。此外，当前的晶体介电材料在热稳定性和电气可靠性方面表现不佳，这使得在高温和高电压条件下的应用面临挑战。 成果简介 有鉴于此， 哈尔滨工业大学（深圳）秦敬凯和徐成 ………………………………