科学家成功改进等离子体深硅刻蚀技术，将晶圆微纳技术提至10nm级别，实现计量测量新突破

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近日，西北农林科技大学本硕校友、德国布伦瑞克工业大学博士毕业生徐久帅和所在团队，揭示了低温深硅刻蚀纳米结构的动态平衡机理。 通过分析和比较不同的微纳制造技术， 针对低温深硅刻蚀的物理化学机理和动态平衡反应原理加以深入研究， 他们将晶圆级的高深宽复杂微纳加工技术提升到 10 纳米级别，进而提高了微纳制造的应用能力。 图 | 徐久帅（来源：徐久帅） 在应用前景上： 首先，本次技术可被用于计量领域。 如上所述，基于本次技术该团队造出了 10 纳米级别的高深宽比结构。 由此制备的标准样品，已经帮助荷兰国家计量研究院和丹麦计量研究院的研究人员，实现了基于原子力显微镜和扫描电子显微镜的局部测量。 同时，基于散射测量和穆勒矩阵椭偏仪，该课题组提出一种全局高通量计量方法，实现了亚波长纳米阵列高通量的 ………………………………